研究了衬底温度对MOCVD技术制备的ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.XRD和SEM的研究结果表明,衬底温度对ZnO薄膜的微观结构有显著影响,明显的形貌转变温度大约发生在175 6C,低于175。C,薄膜呈镜面结构,晶粒为球状,高于177℃的较高温度范围,薄膜从“类金字塔”状的绒面结构演化为“岩石”状显微组织;随着温度增加,薄膜的晶粒尺寸明显增大.绒面结构的未掺杂ZnO薄膜具有17.96 em2,V·8的高迁移率和3.28×10。2 Q·cm的低电阻率,对ZnO薄膜的进一步掺杂和结构优化有望应用于si薄膜太阳电池的前电极.