1． 美商国家半导体（苏州）有限公司工程，占地面积为145966.8M2，一期建筑面积为52645.4M2，其中主厂房49021 .9M2。动力设备房3024 M2，泵房水池576 M2，守卫室23.5M2。
2． 本工程采用框架结构，结构类型为丙类建筑，抗震设防烈度为6级，建筑抗震设防等级为四级，建筑结构安全等级为二级。
3． 本工程室内地面标高±0.000相当于绝对标高3.500M，室内外高差350mm。主厂房生产区首层层高4.500M，1A层层高为4.600M（4.000M），二层层高为4.500M（5.100M），2A层层高为4.000M～5.080M，屋面1层高为4.000M～2.920M，屋面2标高为21.600M。办公区首层层高为4.500M，1A层层高为4.600M，二层层高为4.500M，屋面、局部屋面层高为4.500M，局部屋面标高为18.100M。动力设备房层高为9.200M～9.740M。